2017年4月全国电子技术基础（一）自考真题试题_2017年4月全国电子技术基础（一）自考真题试题及答案

本套试卷集合了考试编委会的理论成果。专家们为考生提供了题目的答案，并逐题进行了讲解和分析。每道题在给出答案的同时，也给出了详尽透彻的解析，帮助考生进行知识点的巩固和记忆，让考生知其然，也知其所以然，从而能够把知识灵活自如地运用到实际中去。

当晶体管的发射结和集电结均正偏时，晶体管处于。

A.放大状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.击穿状态。

电路如题2图所示。设二极管VD的导通降压为0.7V则。

A.二极管VD的导通,U0=-2V

B.二极管VD的导通,U0=-1.3V

C.二极管VD的截止,U0=-2V

D.二极管VD的截止,U0=2V

某晶体管工作在放大区。测得三个电极的电位分别为:V1=15V,V2=12V,V3=14.8V,则该管为

A.NPN型硅管

B.NPN型锗管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

某两级放大电路各级电压放大倍数分别为。则该两级放大电路的电压放大倍数为。

双端输入双端输出的差动放大电路中,若Un=25mV,U₁₂=15mV。则电路的差模输入信号为。

A.40mV

B.10mV

C.20mV

D.5mV