2015年1月全国模拟电子技术基础自考真题试题_2015年1月全国模拟电子技术基础自考真题试题及答案

求学考场在线模考学历自考模拟电子技术基础 2015年1月全国模拟电子技术基础自考真题

本套试卷集合了考试编委会的理论成果。专家们为考生提供了题目的答案，并逐题进行了讲解和分析。每道题在给出答案的同时，也给出了详尽透彻的解析，帮助考生进行知识点的巩固和记忆，让考生知其然，也知其所以然，从而能够把知识灵活自如地运用到实际中去。

由理想二极管组成的电路如题1图所示，其A、B两端的电压为

A.-12V

B.+6V

C.-6V

D.+12V

某场效应管的转移特性如题2图所示，该管是

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的

A.输入电阻高

B.输出电阻低

C.共模抑制比大

D.电压放大倍数大

在题4图所示电路中，Ri为其输入电阻，Rs为常数，为使下限频率fL降低，应

A.减少C，减少Ri

B.减少C，增大Ri

C.增大C，减少Ri

D.增大C，增大Ri

如题5图所示复合管，已知V1的β1=30，V2的β2=50，则复合后的β约为

A.1500

B.80

C.50

D.30